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Diese Seite wurde zuletzt aktualisiert am 07.04.2009

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AMD - http://www.amd.de

04.12.2001


AMD stellt weltweit schnellsten Transistor vor
 

AMD geht auf Rekordjagd: Der Chiphersteller hat einen Transistor, einen so genannten Complementary Metal Oxide Halbleiter (CMOS) entwickelt, der die schnellsten Schaltgeschwindigkeiten erreicht, die bisher in der Halbleiterindustrie dokumentiert wurden. Der Baustein mit einer Gate-Länge von 15 Nanometern (0,015 Mikrometer) ist ein Prototyp für Transistoren, der in zukünftigen Generationen von AMD-Prozessoren eingesetzt werden soll.

Mit diesem Entwicklungssprung zeigt AMD eindrucksvoll, dass das Unternehmen bis zum Ende des Jahrzehnts in der Lage sein wird, die Anzahl der Transistoren auf einem Chip zu verzwanzigfachen und die Rechenleistung von Prozessoren zu verzehnfachen. AMD wird weitere Details seiner Forschungsarbeiten auf dem "International Electron Devices Meeting" (IEDM) am 4. Dezember in Washington D.C. präsentieren. Das IEDM ist eine der renommiertesten Fachkonferenzen für Halbleiteringenieure und Wissenschaftler.

Der 15 Nanometer Transistor ist ein wesentliches Schlüsselelement für die Entwicklung der 30 Nanometer Prozessorgeneration von AMD, die voraussichtlich ab 2009 in die Massenfertigung geht. "Unsere Fähigkeiten im Transistordesign ermöglichen uns, mit immer leistungsstärkeren Prozessoren auf den Markt zu kommen. Die Transistortechnologie ist der Motor, der unsere Hochleistungsprozessoren antreibt. So verwundert es nicht, dass AMD auch weiterhin einen beträchtlichen Teil seiner Ressourcen in den Bereich Forschung und Entwicklung investiert", erklärt Dr. Craig Sander, Vice President der Technology Development Group bei AMD.

Bei dem 15 Nanometer Transistor, der aus AMDs Entwicklungszentrum Submicron Development Center stammt, handelt es um einen CMOS basierten 0,8 Volt Baustein, der Geschwindigkeiten von 3,33 Billionen Schaltungen pro Sekunde erreicht. Die Entwicklung des 15 Nanometer Transistors ist ein schlagkräftiger Beweis dafür, dass weitere Verkleinerungen der Transistorgröße in den kommenden Jahren zu erwarten sind.


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